onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220F FCPF190N60

Nr. stoc RS: 864-7913Producator: onsemiCod de producator: FCPF190N60
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

SuperFET II

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

39 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

57 nC @ 10 V

Inaltime

16.07mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 6,02

€ 3,01 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 7,16

€ 3,582 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220F FCPF190N60
Selectati tipul de ambalaj

€ 6,02

€ 3,01 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

€ 7,16

€ 3,582 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220F FCPF190N60
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Serie

SuperFET II

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

170 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

39 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Latime

4.9mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

57 nC @ 10 V

Inaltime

16.07mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe