Nexperia P-Channel MOSFET, 3.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV48XP,215
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.75V
Maximum Power Dissipation
415 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Latime
1.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 17,10
€ 0,57 Buc. (Intr-un pachet de 30) (fara TVA)
€ 20,35
€ 0,678 Buc. (Intr-un pachet de 30) (cu TVA)
Standard
30
€ 17,10
€ 0,57 Buc. (Intr-un pachet de 30) (fara TVA)
€ 20,35
€ 0,678 Buc. (Intr-un pachet de 30) (cu TVA)
Standard
30
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 0,57 | € 17,10 |
| 60 - 120 | € 0,54 | € 16,20 |
| 150 - 270 | € 0,36 | € 10,80 |
| 300 - 570 | € 0,29 | € 8,70 |
| 600+ | € 0,24 | € 7,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.25V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.75V
Maximum Power Dissipation
415 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Latime
1.4mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse