Nexperia N-Channel MOSFET, 26 A, 80 V, 4-Pin LFPAK33 BUK9M35-80EX
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
LFPAK33
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.45V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
62 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
15 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.6mm
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.9mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 585,00
€ 0,39 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 707,85
€ 0,472 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
€ 585,00
€ 0,39 Buc. (Pe o rola de 1500) (fara TVA)
€ 707,85
€ 0,472 Buc. (Pe o rola de 1500) (cu TVA)
1500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
26 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
LFPAK33
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
88 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.45V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
62 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
15 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
2.6mm
Lungime
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.9mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse