Nexperia N-Channel MOSFET, 1.9 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 BSH108,215
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 300,00
€ 0,10 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 357,00
€ 0,119 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 300,00
€ 0,10 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 357,00
€ 0,119 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.4mm
Lungime
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse