IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 25 A, 800 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR44N80P

Nr. stoc RS: 194-344Producator: IXYSCod de producator: IXFR44N80P
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

ISOPLUS247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

200 nC @ 10 V

Latime

5.21mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.13mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

21.34mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 26,17

€ 26,17 Buc. (fara TVA)

€ 31,14

€ 31,14 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 25 A, 800 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR44N80P
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 26,17
2€ 52,34
3€ 78,51
4€ 104,68
5€ 130,85
6€ 157,02
7€ 183,19
8€ 209,36
9€ 235,53
10€ 261,70
11€ 287,87
12€ 314,04
13€ 340,21
14€ 366,38
15€ 392,55

€ 26,17

€ 26,17 Buc. (fara TVA)

€ 31,14

€ 31,14 Buc. (cu TVA)

IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 25 A, 800 V, 3-Pin ISOPLUS247 IXFR44N80P
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

1

Disponibil in multiplu de 1
1€ 26,17
2€ 52,34
3€ 78,51
4€ 104,68
5€ 130,85
6€ 157,02
7€ 183,19
8€ 209,36
9€ 235,53
10€ 261,70
11€ 287,87
12€ 314,04
13€ 340,21
14€ 366,38
15€ 392,55

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

IXYS

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Serie

HiperFET, Polar

Tip pachet

ISOPLUS247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

200 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

300 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

200 nC @ 10 V

Latime

5.21mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

16.13mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

21.34mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe