IXYS HiperFET N-Channel MOSFET, 48 A, 500 V, 3-Pin TO-264AA IXFK48N50
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
48 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
HiperFET
Tip pachet
TO-264AA
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
500 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
19.96mm
Typical Gate Charge @ Vgs
270 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.13mm
Transistor Material
Si
Inaltime
26.16mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 662,50
€ 26,50 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 788,38
€ 31,535 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
€ 662,50
€ 26,50 Each (In a Tube of 25) (fara TVA)
€ 788,38
€ 31,535 Each (In a Tube of 25) (cu TVA)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
48 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
HiperFET
Tip pachet
TO-264AA
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
500 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
19.96mm
Typical Gate Charge @ Vgs
270 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
5.13mm
Transistor Material
Si
Inaltime
26.16mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse