Infineon IRF7343PbF N/P-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 IRF7343TRPBF

Nr. stoc RS: 171-1915PProducator: InfineonCod de producator: IRF7343TRPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A, 4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

IRF7343PbF

Tip pachet

SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω, 0.17 Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

1.5mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 2,90

€ 0,29 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 3,45

€ 0,345 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon IRF7343PbF N/P-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 IRF7343TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 2,90

€ 0,29 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 3,45

€ 0,345 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Infineon IRF7343PbF N/P-Channel MOSFET, 3.4 A, 4.7 A, 55 V Depletion, 8-Pin SO-8 IRF7343TRPBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

3.4 A, 4.7 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Serie

IRF7343PbF

Tip pachet

SO-8

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.065 Ω, 0.17 Ω

Channel Mode

Depletion

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

4mm

Lungime

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

1.5mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe