Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB IRF3710ZPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Latime
4.69mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.54mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
8.77mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,86
€ 1,43 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 3,46
€ 1,73 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 2,86
€ 1,43 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 3,46
€ 1,73 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,43 | € 2,86 |
| 20 - 48 | € 1,29 | € 2,58 |
| 50 - 98 | € 1,21 | € 2,42 |
| 100 - 198 | € 1,12 | € 2,24 |
| 200+ | € 1,03 | € 2,06 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
HEXFET
Tip pachet
TO-220AB
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Latime
4.69mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.54mm
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
8.77mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse