Modificări în Graficul Livrărilor!

Comenzile plasate în perioada 18.12.2024 - 07.01.2025 vor fi livrate începând cu 08.01.2025. COMPEC va fi închis în perioada 23.12.2024 - 07.01.2025. Începând cu data de 08.01.2025 expedierile vor fi realizate conform graficului obișnuit.

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1

Nr. stoc RS: 262-5859PProducator: InfineonCod de producator: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 1,76

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 2,094

Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

50

Disponibil in multiplu de 50
50€ 88,00
55€ 96,80
60€ 105,60
65€ 114,40
70€ 123,20
75€ 132,00
80€ 140,80
85€ 149,60
90€ 158,40
50€ 88,00
55€ 96,80
60€ 105,60
65€ 114,40
70€ 123,20
75€ 132,00

€ 1,76

Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 2,094

Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Rola)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 5.

Productie -

Disponibil in multiplu de 5.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

50

Disponibil in multiplu de 50
50€ 88,00
55€ 96,80
60€ 105,60
65€ 114,40
70€ 123,20
75€ 132,00
80€ 140,80
85€ 149,60
90€ 158,40
50€ 88,00
55€ 96,80
60€ 105,60
65€ 114,40
70€ 123,20
75€ 132,00

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Rola
50 - 120€ 1,76€ 8,80
125 - 245€ 1,63€ 8,15
250 - 495€ 1,51€ 7,55
500+€ 1,39€ 6,95

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

PG-TO263-3

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe