Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA65R190C7XKSA1

Nr. stoc RS: 214-9001Producator: InfineonCod de producator: IPA65R190C7XKSA1
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™ C7

Tip pachet

TO-220 FP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.19 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 75,00

€ 1,50 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 90,75

€ 1,815 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA65R190C7XKSA1

€ 75,00

€ 1,50 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)

€ 90,75

€ 1,815 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)

Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 8 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FP IPA65R190C7XKSA1

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Serie

CoolMOS™ C7

Tip pachet

TO-220 FP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.19 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe