Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 37 A, 150 V, 3-Pin TO-220 FP IPA105N15N3GXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TO-220 FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
11.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
40.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.85mm
Lungime
10.65mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
16.15mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 201,50
€ 4,03 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 239,78
€ 4,796 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 201,50
€ 4,03 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 239,78
€ 4,796 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 4,03 | € 201,50 |
| 100 - 200 | € 3,79 | € 189,50 |
| 250+ | € 3,56 | € 178,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TO-220 FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
11.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
40.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.85mm
Lungime
10.65mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
16.15mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse