Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14

Nr. stoc RS: 284-862Producator: InfineonCod de producator: IMYH200R024M1HXKSA1
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

2000 V

Tip pachet

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Serie

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

Malaysia

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 2.500,50

€ 83,35 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 2.975,60

€ 99,186 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 2.500,50
60€ 5.001,00
90€ 7.501,50
120€ 10.002,00
150€ 12.502,50
180€ 15.003,00
210€ 17.503,50
240€ 20.004,00
270€ 22.504,50
300€ 25.005,00
330€ 27.505,50
360€ 30.006,00
390€ 32.506,50
420€ 35.007,00
450€ 37.507,50

€ 2.500,50

€ 83,35 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 2.975,60

€ 99,186 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET SiC N-Channel MOSFET, 89 A, 2000 V, 4-Pin PG-TO247-4-PLUS-NT14
Informatii despre stoc temporar indisponibile

30

Disponibil in multiplu de 30
30€ 2.500,50
60€ 5.001,00
90€ 7.501,50
120€ 10.002,00
150€ 12.502,50
180€ 15.003,00
210€ 17.503,50
240€ 20.004,00
270€ 22.504,50
300€ 25.005,00
330€ 27.505,50
360€ 30.006,00
390€ 32.506,50
420€ 35.007,00
450€ 37.507,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Maximum Drain Source Voltage

2000 V

Tip pachet

PG-TO247-4-PLUS-NT14

Serie

CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

Malaysia

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe