Infineon N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 330,00
€ 0,33 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 392,70
€ 0,393 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 330,00
€ 0,33 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 392,70
€ 0,393 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse