N-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP295H6327XTSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
SIPMOS®
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.6mm
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 37,50
€ 0,75 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 44,62
€ 0,892 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
€ 37,50
€ 0,75 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 44,62
€ 0,892 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 0,75 | € 3,75 |
| 125 - 245 | € 0,70 | € 3,50 |
| 250 - 495 | € 0,64 | € 3,20 |
| 500+ | € 0,59 | € 2,95 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
SIPMOS®
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.5mm
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.6mm
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse