Diodes Inc IntelliFET Dual N-Channel MOSFET, 1.2 A, 60 V, 8-Pin SM ZXMS6004DT8TA
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
IntelliFET
Tip pachet
SM
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.13 W
Transistor Configuration
Isolated
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Temperatura maxima de lucru
+125 °C
Latime
3.95mm
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Tara de origine
Germany
Detalii produs
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,60
€ 1,32 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,85
€ 1,571 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 6,60
€ 1,32 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 7,85
€ 1,571 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
IntelliFET
Tip pachet
SM
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2.13 W
Transistor Configuration
Isolated
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Lungime
4.95mm
Temperatura maxima de lucru
+125 °C
Latime
3.95mm
Inaltime
1.5mm
Temperatura minima de lucru
-40 °C
Tara de origine
Germany
Detalii produs
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse