Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 ZVN4206AV
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.77mm
Latime
2.41mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.01mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,40
€ 0,64 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 7,62
€ 0,762 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 6,40
€ 0,64 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 7,62
€ 0,762 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,64 | € 6,40 |
| 50 - 190 | € 0,46 | € 4,60 |
| 200 - 990 | € 0,36 | € 3,60 |
| 1000 - 1990 | € 0,33 | € 3,30 |
| 2000+ | € 0,32 | € 3,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-92
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.77mm
Latime
2.41mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
4.01mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse