Diodes Inc N-Channel MOSFET, 270 mA, 60 V, 3-Pin E-Line VN10LP
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
270 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
E-Line
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.77mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,20
€ 1,04 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 6,19
€ 1,238 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 5,20
€ 1,04 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 6,19
€ 1,238 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,04 | € 5,20 |
| 50 - 195 | € 0,61 | € 3,05 |
| 200 - 995 | € 0,53 | € 2,65 |
| 1000 - 1995 | € 0,44 | € 2,20 |
| 2000+ | € 0,37 | € 1,85 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
270 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
E-Line
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
4.77mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.01mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse