Diodes Inc P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SOT-26 DMP3056LDM-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-26
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21.1 nC @ 10 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,381 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
€ 8,00
€ 0,32 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,381 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
25
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-26
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21.1 nC @ 10 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse