Diodes Inc P-Channel MOSFET, 5 A, 30 V, 6-Pin SOT-26 DMP3056LDM-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-26
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
3.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
21.1 nC @ 10 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 37,50
€ 0,25 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 44,62
€ 0,298 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
150
€ 37,50
€ 0,25 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 44,62
€ 0,298 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
150
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 150 - 725 | € 0,25 | € 6,25 |
| 750 - 1475 | € 0,22 | € 5,50 |
| 1500+ | € 0,20 | € 5,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SOT-26
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
3.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
21.1 nC @ 10 V
Latime
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.3mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse