Diodes Inc P-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2305U-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
113 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,00
€ 0,08 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,095 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
€ 8,00
€ 0,08 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 9,52
€ 0,095 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 100 - 500 | € 0,08 | € 8,00 |
| 600 - 1400 | € 0,07 | € 7,00 |
| 1500+ | € 0,06 | € 6,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
113 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse