Diodes Inc P-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SO-8 DMP2040USD-13
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.9mm
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 8V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 375,00
€ 0,15 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 446,25
€ 0,178 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 375,00
€ 0,15 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 446,25
€ 0,178 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.9mm
Lungime
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 8V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.5mm
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse