Diodes Inc P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V, 3-Pin SOT-23 BSS84-7-F
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,00
€ 0,04 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 4,76
€ 0,048 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
€ 4,00
€ 0,04 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 4,76
€ 0,048 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse