Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 5.3 A, 1700 V, 7-Pin D2PAK C2M1000170J
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Latime
10.99mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.57mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 18,90
€ 9,45 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 22,49
€ 11,246 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 18,90
€ 9,45 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 22,49
€ 11,246 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 9,45 | € 18,90 |
| 10 - 18 | € 8,78 | € 17,56 |
| 20 - 48 | € 8,49 | € 16,98 |
| 50 - 98 | € 8,18 | € 16,36 |
| 100+ | € 7,88 | € 15,76 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.3 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +25 V
Latime
10.99mm
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 20 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
4.57mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.8V
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse