Vishay SQ Rugged P-Channel MOSFET, 6.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC SQ4431EY-T1_GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
SQ Rugged
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.55mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 13,80
€ 0,69 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 16,42
€ 0,821 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 13,80
€ 0,69 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 16,42
€ 0,821 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
SQ Rugged
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.55mm
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse