Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISA04DN-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK 1212-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
3.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Latime
3.15mm
Lungime
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.12mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 27,00
€ 1,35 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 32,13
€ 1,606 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 27,00
€ 1,35 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 32,13
€ 1,606 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 1,35 | € 2,70 |
| 100 - 198 | € 1,20 | € 2,40 |
| 200 - 498 | € 1,12 | € 2,24 |
| 500+ | € 1,04 | € 2,08 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK 1212-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
3.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +20 V
Latime
3.15mm
Lungime
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
51 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
1.12mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse