Vishay P-Channel MOSFET, 9.6 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7121DN-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK 1212-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
27.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
3.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-50 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 10,80
€ 1,08 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 12,85
€ 1,285 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 10,80
€ 1,08 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 12,85
€ 1,285 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,08 | € 10,80 |
| 100 - 240 | € 0,86 | € 8,60 |
| 250 - 490 | € 0,66 | € 6,60 |
| 500 - 990 | € 0,58 | € 5,80 |
| 1000+ | € 0,49 | € 4,90 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK 1212-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
26 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
27.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
3.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.15mm
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-50 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse