Vishay P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK ChipFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.98mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.85mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,40
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 6,43
€ 0,321 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
€ 5,40
€ 0,27 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)
€ 6,43
€ 0,321 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)
Standard
20
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.9 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAK ChipFET
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
33 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
31 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
1.98mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.85mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse