Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF

Nr. stoc RS: 541-0733PProducator: VishayCod de producator: IRFD9014PBF
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Latime

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

3.37mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBFProducator: Vishay
€ 0,488Each (In a Tube of 100) (fara TVA)
Informatii indisponibile despre stoc

€ 7,40

€ 0,74 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 8,81

€ 0,88 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Banda)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 1
10€ 7,40
11€ 8,14
12€ 8,88
13€ 9,62
14€ 10,36
15€ 11,10
16€ 11,84
17€ 12,58
18€ 13,32
19€ 14,06
20€ 14,80
21€ 15,54
22€ 16,28
23€ 17,02
24€ 17,76

€ 7,40

€ 0,74 Each (Supplied as a Tape) (fara TVA)

€ 8,81

€ 0,88 Each (Supplied as a Tape) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Impachetare pentru productie (Banda)

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 1.

Productie -

Disponibil in multiplu de 1.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 1
10€ 7,40
11€ 8,14
12€ 8,88
13€ 9,62
14€ 10,36
15€ 11,10
16€ 11,84
17€ 12,58
18€ 13,32
19€ 14,06
20€ 14,80
21€ 15,54
22€ 16,28
23€ 17,02
24€ 17,76

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitar
10 - 49€ 0,74
50 - 99€ 0,66
100 - 249€ 0,61
250+€ 0,56

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBFProducator: Vishay
€ 0,488Each (In a Tube of 100) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.1 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

HVMDIP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Latime

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Inaltime

3.37mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBF
Vishay P-Channel MOSFET, 1.1 A, 60 V, 4-Pin HVMDIP IRFD9014PBFProducator: Vishay
€ 0,488Each (In a Tube of 100) (fara TVA)