Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 9.4 A, 200 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ431AEP-T1_GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2.010,00
€ 0,67 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.391,90
€ 0,797 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 2.010,00
€ 0,67 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 2.391,90
€ 0,797 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
9.4 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serie
TrenchFET
Tip pachet
PowerPAK SO-8L
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
760 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
68 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Latime
5mm
Lungime
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
1.07mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Tara de origine
China
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse