Toshiba TK N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK100A06N1,S4X(S

Nr. stoc RS: 827-6097Producator: ToshibaCod de producator: TK100A06N1,S4X(S
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-220SIS

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

15mm

Tara de origine

China

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 12,32

€ 3,08 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)

€ 14,66

€ 3,665 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK100A06N1,S4X(S
Selectati tipul de ambalaj

€ 12,32

€ 3,08 Buc. (Intr-un pachet de 4) (fara TVA)

€ 14,66

€ 3,665 Buc. (Intr-un pachet de 4) (cu TVA)

Toshiba TK N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS TK100A06N1,S4X(S
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
4 - 16€ 3,08€ 12,32
20 - 76€ 2,55€ 10,20
80 - 196€ 2,21€ 8,84
200 - 396€ 2,07€ 8,28
400+€ 2,00€ 8,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

TK

Tip pachet

TO-220SIS

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

4.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

140 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

15mm

Tara de origine

China

Detalii produs

MOSFET Transistors, Toshiba

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe