STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW4N150

Nr. stoc RS: 687-5251Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STW4N150
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Latime

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 7,23

€ 7,23 Buc. (fara TVA)

€ 8,75

€ 8,75 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW4N150
Selectati tipul de ambalaj

€ 7,23

€ 7,23 Buc. (fara TVA)

€ 8,75

€ 8,75 Buc. (cu TVA)

STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 4 A, 1500 V, 3-Pin TO-247 STW4N150

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitar
1 - 4€ 7,23
5 - 9€ 6,81
10 - 24€ 6,08
25 - 49€ 5,40
50+€ 5,08

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Drain Source Voltage

1500 V

Serie

MDmesh

Tip pachet

TO-247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

7 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

30 nC @ 10 V

Latime

5.15mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

15.75mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

20.15mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Detalii produs

N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe