N-Channel MOSFET Transistor, 11 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STMicroelectronics STP11NM60FP
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
16.4mm
Detalii produs
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Tub)
1
P.O.A.
Impachetare pentru productie (Tub)
1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Tip pachet
TO-220FP
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
35 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Latime
4.6mm
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Inaltime
16.4mm
Detalii produs
MOSFETs - N-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse