STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V, 3-Pin DPAK STD17NF25
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
STripFET II
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 1.925,00
€ 0,77 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.290,75
€ 0,916 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 1.925,00
€ 0,77 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 2.290,75
€ 0,916 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
STripFET II
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Lungime
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.2mm
Inaltime
2.4mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse