STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG

Nr. stoc RS: 215-234Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT040W120G3AG
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

Hip247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 579,90

€ 19,33 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 690,08

€ 23,003 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG

€ 579,90

€ 19,33 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 690,08

€ 23,003 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Serie

SCT

Tip pachet

Hip247

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe