STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT020W120G3-4AG

Nr. stoc RS: 215-068Producator: STMicroelectronicsCod de producator: SCT020W120G3-4AG
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

HiP247-4

Serie

SCT

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 1.396,50

€ 46,55 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 1.661,84

€ 55,394 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT020W120G3-4AG

€ 1.396,50

€ 46,55 Each (In a Tube of 30) (fara TVA)

€ 1.661,84

€ 55,394 Each (In a Tube of 30) (cu TVA)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 100 A, 1200 V, 4-Pin HiP247-4 SCT020W120G3-4AG
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

HiP247-4

Serie

SCT

Timp montare

Through Hole

Numar pini

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe