ROHM RUM001L02 N-Channel MOSFET, 100 mA, 20 V, 3-Pin SOT-723 RUM001L02T2CL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RUM001L02
Tip pachet
SOT-723
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
18 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
0.9mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.45mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 4,50
€ 0,03 Buc. (Intr-un pachet de 150) (fara TVA)
€ 5,36
€ 0,036 Buc. (Intr-un pachet de 150) (cu TVA)
Standard
150
€ 4,50
€ 0,03 Buc. (Intr-un pachet de 150) (fara TVA)
€ 5,36
€ 0,036 Buc. (Intr-un pachet de 150) (cu TVA)
Standard
150
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serie
RUM001L02
Tip pachet
SOT-723
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
18 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
0.9mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
1.3mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
0.45mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse