ROHM N-Channel MOSFET, 250 mA, 60 V, 3-Pin SC-75 RE1L002SNTL
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
0.96mm
Lungime
1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.8mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 20,00
€ 0,10 Buc. (Intr-un pachet de 200) (fara TVA)
€ 23,80
€ 0,119 Buc. (Intr-un pachet de 200) (cu TVA)
200
€ 20,00
€ 0,10 Buc. (Intr-un pachet de 200) (fara TVA)
€ 23,80
€ 0,119 Buc. (Intr-un pachet de 200) (cu TVA)
200
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 200 - 200 | € 0,10 | € 20,00 |
| 400 - 800 | € 0,09 | € 18,00 |
| 1000 - 1800 | € 0,09 | € 18,00 |
| 2000 - 9800 | € 0,07 | € 14,00 |
| 10000+ | € 0,07 | € 14,00 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
250 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
150 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
0.96mm
Lungime
1.7mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
0.8mm
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse