onsemi N-Channel MOSFET, 123 A, 80 V, 5-Pin DFN NTMFS6H818NT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,15
€ 1,83 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 10,89
€ 2,178 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 9,15
€ 1,83 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 10,89
€ 2,178 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,83 | € 9,15 |
| 50 - 95 | € 1,57 | € 7,85 |
| 100 - 495 | € 1,35 | € 6,75 |
| 500 - 995 | € 1,17 | € 5,85 |
| 1000+ | € 1,06 | € 5,30 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
DFN
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.1mm
Lungime
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
1.05mm
Tara de origine
Malaysia
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse