onsemi N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 NTF3055-100T1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V dc
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.65mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 7,40
€ 0,74 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 8,81
€ 0,881 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 7,40
€ 0,74 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 8,81
€ 0,881 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,74 | € 7,40 |
| 100 - 240 | € 0,63 | € 6,30 |
| 250 - 490 | € 0,54 | € 5,40 |
| 500+ | € 0,47 | € 4,70 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
110 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Latime
3.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V dc
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
6.7mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1.65mm
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse