Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Lungime
1.65mm
Latime
0.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.8mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET with Schottky Diode, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 45,00
€ 0,09 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 54,45
€ 0,109 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
500
€ 45,00
€ 0,09 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 54,45
€ 0,109 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
500
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
---|---|---|
500 - 1200 | € 0,09 | € 4,50 |
1250 - 2450 | € 0,09 | € 4,50 |
2500 - 4950 | € 0,08 | € 4,00 |
5000+ | € 0,07 | € 3,50 |
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
SC-75
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Lungime
1.65mm
Latime
0.9mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
0.8mm
Detalii produs