onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 830 mA, 20 V, 6-Pin SC-89-6 FDY1002PZ

Nr. stoc RS: 166-3723Producator: onsemiCod de producator: FDY1002PZ
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

830 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SC-89-6

Serie

PowerTrench

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

1.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

625 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

2

Latime

1.2mm

Lungime

1.7mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.6mm

Detalii produs

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 540,00

€ 0,18 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 642,60

€ 0,214 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 830 mA, 20 V, 6-Pin SC-89-6 FDY1002PZ

€ 540,00

€ 0,18 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 642,60

€ 0,214 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

onsemi PowerTrench Dual P-Channel MOSFET, 830 mA, 20 V, 6-Pin SC-89-6 FDY1002PZ
Informatii despre stoc temporar indisponibile

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

830 mA

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Tip pachet

SC-89-6

Serie

PowerTrench

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

6

Maximum Drain Source Resistance

1.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

625 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Number of Elements per Chip

2

Latime

1.2mm

Lungime

1.7mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

0.6mm

Detalii produs

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe