N-Channel MOSFET, 15 A, 500 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF16N50UT

Nr. stoc RS: 864-8580Producator: onsemiCod de producator: FDPF16N50UT
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

480 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

38.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Latime

4.9mm

Transistor Material

Si

Serie

UniFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

16.07mm

Detalii produs

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,2SK2698 15A 500V
P.O.A.Buc. (fara TVA)

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 15 A, 500 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF16N50UT
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)

N-Channel MOSFET, 15 A, 500 V, 3-Pin TO-220F onsemi FDPF16N50UT

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,2SK2698 15A 500V
P.O.A.Buc. (fara TVA)

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

TO-220F

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

480 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

38.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Latime

4.9mm

Transistor Material

Si

Serie

UniFET

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Inaltime

16.07mm

Detalii produs

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
N-channel MOSFET,2SK2698 15A 500V
P.O.A.Buc. (fara TVA)