Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115

Nr. stoc RS: 798-2906Producator: NexperiaCod de producator: PSMN1R2-30YLC
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

1.65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.05V

Maximum Power Dissipation

215 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

78 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

4.1mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 7,60

€ 1,52 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,04

€ 1,809 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115
Selectati tipul de ambalaj

€ 7,60

€ 1,52 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 9,04

€ 1,809 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Tip pachet

LFPAK, SOT-669

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

4

Maximum Drain Source Resistance

1.65 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.95V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.05V

Maximum Power Dissipation

215 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

78 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Latime

4.1mm

Number of Elements per Chip

1

Lungime

5mm

Transistor Material

Si

Inaltime

1.1mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

Philippines

Detalii produs

N-Channel MOSFET, up to 30V

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe