Nexperia N-Channel MOSFET, 375 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP126,115

Nr. stoc RS: 792-0875Producator: NexperiaCod de producator: BSP126,115
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

375 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.7mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

3.7mm

Inaltime

1.7mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

€ 4,60

€ 0,46 Buc. (Pe o rola de 10) (fara TVA)

€ 5,47

€ 0,547 Buc. (Pe o rola de 10) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 375 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP126,115
Selectati tipul de ambalaj

€ 4,60

€ 0,46 Buc. (Pe o rola de 10) (fara TVA)

€ 5,47

€ 0,547 Buc. (Pe o rola de 10) (cu TVA)

Nexperia N-Channel MOSFET, 375 mA, 250 V, 3-Pin SOT-223 BSP126,115
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

375 mA

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

SOT-223

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.7mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

3.7mm

Inaltime

1.7mm

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe