Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 IRLML0100TRPBF

Nr. stoc RS: 725-9350Producator: InfineonCod de producator: IRLML0100TRPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.6 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

235 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.5 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.02mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 DMN10H220L-7
€ 0,393Buc. (Intr-un pachet de 30) (fara TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 3,50

€ 0,35 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 4,16

€ 0,416 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 IRLML0100TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 3,50

€ 0,35 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 4,16

€ 0,416 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 IRLML0100TRPBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,35€ 3,50
100 - 240€ 0,33€ 3,30
250 - 490€ 0,32€ 3,20
500 - 990€ 0,19€ 1,90
1000+€ 0,17€ 1,70

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 DMN10H220L-7
€ 0,393Buc. (Intr-un pachet de 30) (fara TVA)

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.6 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

SOT-23

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

235 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Typical Gate Charge @ Vgs

2.5 nC @ 4.5 V

Latime

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

3.04mm

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.02mm

Detalii produs

N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
S-ar putea să te intereseze
Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.6 A, 100 V, 3-Pin SOT-23 DMN10H220L-7
€ 0,393Buc. (Intr-un pachet de 30) (fara TVA)