Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRFR3709ZTRLPBF

Nr. stoc RS: 220-7496Producator: InfineonCod de producator: IRFR3709ZTRLPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

86 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0065 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 10,80

€ 0,54 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 12,85

€ 0,643 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRFR3709ZTRLPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 10,80

€ 0,54 Buc. (Intr-un pachet de 20) (fara TVA)

€ 12,85

€ 0,643 Buc. (Intr-un pachet de 20) (cu TVA)

Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 86 A, 30 V, 3-Pin DPAK IRFR3709ZTRLPBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Pachet
20 - 80€ 0,54€ 10,80
100 - 180€ 0,51€ 10,20
200 - 480€ 0,49€ 9,80
500 - 980€ 0,46€ 9,20
1000+€ 0,42€ 8,40

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

86 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Serie

HEXFET

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

0.0065 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

20V

Number of Elements per Chip

2

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe