Infineon N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 3-Pin TO-220 IPP126N10N3GXKSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
23.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
15.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 5,90
€ 0,59 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 7,02
€ 0,702 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 5,90
€ 0,59 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 7,02
€ 0,702 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
58 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
OptiMOS™ 3
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
23.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
94 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.57mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
15.95mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalii produs
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse