Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 90 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD90N03S4L02ATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
OptiMOS™ -T2
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs
Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,15
€ 0,63 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,75
€ 0,75 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 3,15
€ 0,63 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,75
€ 0,75 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
OptiMOS™ -T2
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
136 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Latime
6.22mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
2.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs
Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse