Infineon CoolMOS™ CE N-Channel MOSFET, 14.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK IPD50R380CEAUMA1
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.1 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
CoolMOS™ CE
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
98 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
2.41mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.85V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 9,10
€ 0,91 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 11,01
€ 1,101 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Standard
10
€ 9,10
€ 0,91 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 11,01
€ 1,101 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,91 | € 9,10 |
| 50 - 490 | € 0,86 | € 8,60 |
| 500 - 990 | € 0,61 | € 6,10 |
| 1000 - 2490 | € 0,50 | € 5,00 |
| 2500+ | € 0,49 | € 4,90 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14.1 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Serie
CoolMOS™ CE
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
98 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Inaltime
2.41mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.85V
Detalii produs
Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse