Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET, 350 mA, 240 V Depletion, 3-Pin SOT-223 BSP129H6327XTSA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Drain Source Voltage
240 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
SIPMOS®
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
20 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.8 nC @ 5 V
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 2,55
€ 0,51 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,03
€ 0,607 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 2,55
€ 0,51 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,03
€ 0,607 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,51 | € 2,55 |
| 50 - 120 | € 0,46 | € 2,30 |
| 125 - 245 | € 0,42 | € 2,10 |
| 250 - 495 | € 0,38 | € 1,90 |
| 500+ | € 0,36 | € 1,80 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
350 mA
Maximum Drain Source Voltage
240 V
Tip pachet
SOT-223
Serie
SIPMOS®
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
20 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
6.5mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.8 nC @ 5 V
Inaltime
1.6mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse