Infineon N-Channel MOSFET, 223 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5ATMA1
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
223 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
SuperSO8 5 x 6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+16 V
Latime
6.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 3,35
€ 0,67 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,99
€ 0,797 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 3,35
€ 0,67 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,99
€ 0,797 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
223 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Serie
OptiMOS™ 5
Tip pachet
SuperSO8 5 x 6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
1.25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+16 V
Latime
6.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Tara de origine
China
Detalii produs
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse